EE타임스가 소개한 오토모티브 테크 포럼 세션에서는 파워인티그레이션즈의 앤드루 스미스 기술전파 디렉터가 전기차(EV)용 질화갈륨(GaN) 전력반도체 기본 구성 요소와 2026년 이후 설계 로드맵을 다룰 예정이에요. 발표는 전기차가 더 효율적이고 더 저렴해져야 한다는 업계 공통 과제에서 출발해요. 자동차 업계가 이를 위해 계속 변화하고 있다는 설명으로 세션 소개가 이어져요.
이 글은 원문을 요약한 큐레이션입니다. 제목은 요약에 맞춰 새로 붙였습니다. 수치와 단위는 원문 표기를 유지했습니다. 전체 내용은 원 매체에서 읽어 주세요. 이 글은 AI의 도움을 받아 작성했습니다.원문: EE Times 「Automotive Tech Forum: GaN Building Blocks in EV’s and Their Design Roadmap in 2026 and Beyond」
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EE Times 오토모티브 테크 포럼에서 인피니언의 모터 제어 분야 펠로우 마크 뮌처가 전기차(EV) 설계에 쓰이는 실리콘카바이드(SiC) 반도체의 현재 상황과 발전 방향을 주제로 발표했어요. 그는 전기차에 대한 고객 만족도가 장거리 주행을 얼마나 쉽게 할 수 있는지와 직접 연관되어 있다고 설명했어요. 이번 발표는 SiC 기술이 전기차 설계에서 맡는 역할을 다루는 자리였어요.
EE Times는 AI가 데이터센터의 용량과 전력 밀도를 전례 없이 끌어올리면서, 안정적이고 확장 가능한 에너지 인프라 확보가 업계의 가장 시급한 과제로 떠올랐다고 전했다. AI 워크로드 증가가 전력 수요와 인프라 설계에 새로운 압박을 가하고 있다는 점을 다루는 기사다.
EE Times 필진이 불가리아 소피아에서 열린 투자포럼에 참석해 실리콘카바이드(SiC)의 과거와 미래 가능성을 조명했다. 기사는 1891년 에드워드 애치슨이 다이아몬드를 찾던 과정에서 실리콘카바이드를 우연히 발견했다는 일화를 소개한다. 이를 통해 SiC가 어떻게 발견돼 오늘날 화합물반도체 소재로 주목받게 됐는지를 다룬다.
인피니언 하이렐이 우주 전력 시스템용 GaN 소자를 제어하는 방사선 내성 단일 채널 게이트 드라이버 RIC70115를 공개했다. 이 제품은 저전압 드롭아웃 레귤레이터(LDO)를 내장해 4.75V~15V 입력 전압 범위에서 4.8V의 안정적인 게이트 드라이브 전압을 생성한다. 별도의 바이어스 레귤레이터를 추가하지 않아도 되어 부품 수와 보드 면적을 줄이고 총 부품비(BOM) 절감에 도움이 된다고 회사는 밝혔다. 평가보드 RIC70115EVAL1은 RIC70115 2개와 GaN HEMT인 IG1NT052N10R 2개를 하프브리지 구성으로 탑재해 제공된다.
인피니언테크놀로지스코리아가 솔루엠과 인공지능(AI) 데이터센터용 고전압직류(HVDC) 전력 솔루션 공동 개발을 위한 업무협약을 체결했다고 5일 밝혔다. 양사는 서버용 전원공급장치(PSU), 배터리백업유닛(BBU), 중간버스컨버터(IBC) 세 분야에서 협력한다. 인피니언은 프로젝트 초기 단계부터 참여해 제품을 제안하고 레퍼런스 디자인 개발과 기술 지원을 맡는다. 인피니언은 실리콘, 실리콘카바이드, 질화갈륨 기반 전력반도체와 마이크로컨트롤러, 센서를 공급한다.
Semiconductor Engineering은 실리콘 MOSFET, IGBT, SiC MOSFET, GaN HEMT 중 어떤 전력 트랜지스터가 우수한지는 기술 자체보다 응용 조건에 따라 달라진다고 분석했다. 버스 전압, 전류 프로파일, 스위칭 주파수, 허용 온도 상승, 제어 전략, 커뮤테이션 거동, PCB 파라시틱, 시스템 비용 목표가 선택을 좌우하는 요소로 제시됐다. 하드 스위칭 구조에서는 턴온 손실과 커뮤테이션 거동이, 소프트 스위칭 구조에서는 커뮤테이션할 전하량과 가용 전류, 소프트 스위칭 유지 능력이 중요하다고 설명했다. PFC, 공진형 변환, 동기 정류, 모터 드라이브 등 응용 사례에서는 소자 손실이 적다고 항상 최적 결과로 이어지지 않으며 열 여유·보드 설계·제어 방식·시스템 총비용이 함께 영향을 미친다고 덧붙였다. 단순 소자 교체로 해결되는 경우와 토폴로지 변경 또는 하이브리드 구현이 더 효과적인 경우도 구분해 제시했다.
EE타임스는 AI 시스템의 전력 수요 증가로 차세대 AI 시스템이 레이아웃 병목 문제에 직면했다고 전했다. 급증하는 전류 요구가 이러한 병목의 원인으로 지목됐다고 설명했다. 기사는 듀얼페이즈 DrMOS(드라이버 MOSFET) 기술이 이 같은 전력설계 문제에 대응하는 방안으로 다뤄진다고 소개했다.
효성중공업이 지멘스와 디지털 전력 인프라 및 데이터센터 솔루션 분야에서 글로벌 전략적 파트너십 협약(GSPA)을 체결했다. 협력 분야는 디지털 자산관리, 디지털 변전소, 데이터센터 통합 전력 솔루션 세 가지다. 전력설비 관리에서는 효성중공업의 아머 플러스와 지멘스의 일렉트리피케이션 X를 연동해 초고압과 중·저압 설비 상태를 통합 진단한다. 디지털 변전소 분야에서는 효성중공업의 전력 계측 센서와 지멘스의 디지털 신호 변환 장치를 연계한다. AI 데이터센터 분야에서는 효성중공업의 반도체 변압기(SST)와 지멘스의 에너지관리시스템(EMS)을 결합해 운영 효율을 높이는 방안을 추진한다.