NUS, 단결정 고유전율 소재로 2D CFET 저전력 구현

싱가포르국립대(NUS)와 Nexstrom 공동 연구진이 웨이퍼 전체 크기로 만들 수 있고 다른 기판으로 옮겨 붙일 수 있는 단결정 아나타제 이산화티타늄 유전체를, 2차원 전이금속 디칼코지나이드 반도체와 반데르발스 방식으로 결합했어요. 이 깨끗한 계면 덕분에 스위칭 특성이 이론적 한계에 가까워지고 히스테리시스(동작 지연 현상)도 크게 줄었어요. 이를 바탕으로 n형과 p형 특성이 잘 맞는 상보형 전계효과트랜지스터(CFET)를 만들었고, 여기서 만든 인버터는 높은 전압 이득과 넓은 잡음 여유를 보이면서도 정지 상태 전력 소비가 1피코와트보다 작았어요. 이 연구는 2026년 11월 네이처에 실렸어요.
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