마이크론이 대만 타오위안에 건설 중인 반도체 공장 '팹11E'의 공사를 노사 갈등으로 사실상 중단했다. 블룸버그통신에 따르면 현지 근로자들이 한국 반도체 기업과 비슷한 수준의 성과급을 요구하면서 갈등이 발생했다. 이 공장은 2028년 가동을 목표로 추진돼 왔으나 공사 중단으로 생산능력 확대 계획에 차질이 생겼다. AI 반도체 수요 증가로 메모리 공급 부족이 이어지는 상황에서, 글로벌 3위 메모리 업체의 증설 지연이 삼성전자와 SK하이닉스에 반사이익으로 이어질 수 있다는 전망이 나온다.
이 글은 원문을 요약한 큐레이션입니다. 제목은 요약에 맞춰 새로 붙였습니다. 수치와 단위는 원문 표기를 유지했습니다. 전체 내용은 원 매체에서 읽어 주세요.원문: 전자신문 「“韓처럼 성과급 달라” 대만 공장 건설 멈춘 마이크론…삼전닉스, 반사이익 거둘까」
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조지아텍 스핀오프 Nagare Labs가 SRAM 속도와 DRAM 밀도를 동시에 겨냥한 메모리 셀 Z2RAM을 공개했다. 이 회사는 팻 겔싱어 전 인텔 CEO의 투자를 받았으며, Z2RAM은 트랜지스터 2개와 차단막으로 구성돼 커패시터 없이 데이터를 저장하는 게인 셀 구조다. 창업자들의 논문에 따르면 85도 조건에서 300초 이상 데이터를 유지한 실험 결과가 있으며, 1세대 제품은 6개 층 적층으로 SRAM 대비 5배 밀도, DRAM 대비 14배 속도, SRAM 대비 3배 낮은 읽기 에너지를 목표로 한다고 회사는 밝혔다. 인터포저나 층간 본딩 없이 가속기 위에 직접 증착·패터닝하는 방식이 특징이며, 공동창업자 수만 다타는 현재 실험실 프로토타입 단계이고 4년 내 샘플링을 목표로 한다고 말했다.
메모리 기판 전문업체 티엘비가 5일 3분기 연결 기준 매출 939억6500만원, 영업이익 165억9500만원을 기록했다고 공시했다. 매출은 전년 동기 대비 36.4%, 영업이익은 91.8% 늘어 사상 최대 분기 매출을 기록했다. 전분기 대비로도 매출은 6.5%, 영업이익은 29.9% 증가했다. 영업이익률은 17.7%로 전년 동기 대비 5.1%포인트, 전분기 대비 3.2%포인트 올랐다. 회사는 AI 서버용 SOCAMM2 기판 공급 확대로 고부가 제품 비중이 커진 것을 실적 개선 요인으로 들었다.
카운터포인트에 따르면 3분기 글로벌 D램 매출이 전년 동기 대비 369% 증가한 2000억 달러로 사상 최고치를 기록했다. 삼성전자는 점유율 38%로 1위를 지켰고, SK하이닉스는 전 분기 대비 매출을 40% 이상 늘려 점유율 일부를 회복했다. 마이크론도 실적이 개선됐으나 성장 속도는 국내 두 업체보다 완만했으며, 중국 CXMT 점유율은 10%에서 9%로 줄었다. 매출 증가는 출하량 확대보다 가격 상승이 주도했고, 서버용 CPU 소비 증가로 범용 D램(DDR·LPDDR) 매출이 HBM보다 크게 늘었다.
카운터포인트리서치에 따르면 삼성전자가 3분기 D램 시장에서 점유율 38%로 1위를 지켰다. SK하이닉스는 29%, 마이크론은 21%, CXMT는 9%로 뒤를 이었다. 삼성전자는 고대역폭메모리(HBM) 판매 확대에 힘입어 실적 성장을 이어가고 있다고 설명됐다. 앞서 지난해 1분기에는 HBM 공급 차질로 1위 자리를 SK하이닉스에 내준 적이 있다.
대만 메모리 제조사 매크로닉스가 닌텐도 스위치와 스위치2 게임 카트리지에 쓰이는 ROM 칩 생산을 단계적으로 중단하고, AI 데이터센터용 NOR·NAND 플래시 생산에 집중한다고 복수의 보도가 전했다. 애널리스트 데이비드 깁슨은 매크로닉스의 3분기 ROM 매출 비중이 전년보다 크게 줄었으며 신규 ROM 제품도 더 이상 내놓지 않을 것이라고 밝혔다. 타이베이타임스도 매크로닉스가 ROM 사업에서 점진적으로 철수하고 있다고 보도했으며, 회사의 자본지출은 낸드 플래시 생산능력 확대와 eMMC·3D 낸드용 투자로 배정됐다. 닌텐도는 ROHM그룹의 ROHM세미컨덕터와 라피스세미컨덕터로부터도 ROM 칩을 공급받아 당장 물리 카트리지 생산이 끊기지는 않을 것으로 보이지만, 공급사 감소로 가격 인상이나 게임키카드·디지털 판매 확대 가능성이 제기된다.
마이크론이 향후 D램과 낸드 로드맵을 공개하며, 경쟁사인 CXMT·삼성전자·SK하이닉스와 달리 4F2 셀 기반 D램 개발 계획을 접고 6F2 셀 기반 공정을 이어가기로 했다고 밝혔다. 회사는 차세대 1δ(1-델타) 공정을 2027년 하반기 양산할 예정이며, 이후 웨이퍼 본딩을 적용하는 1ε 공정과 하이-NA EUV 리소그래피를 도입하는 ζÅ 공정, 신소재를 활용하는 ηÅ 공정을 순차적으로 개발하고 있다고 설명했다. 이와 병행해 3D1, 3D2로 불리는 3D D램 두 세대도 개발 중이며, 기존 평면 D램과 비용·성능 면에서 경쟁력을 갖출 때 도입할 계획이라고 밝혔다. 마이크론은 또한 HBM4E, HBM5, HBM5E와 수직 구조의 vHBM, vEIM 등 AI 워크로드에 맞춘 커스텀 메모리 제품 포트폴리오를 확대할 계획이라고 전했다.
서울대 연구진이 TiN 전극 및 계면 설계를 통해 강유전체 HZO(하프늄지르코늄옥사이드) 커패시터의 속도-내구성 딜레마를 해결한 연구 결과를 네이처 커뮤니케이션즈에 발표했다. 연구팀은 0.6V에서 42.1ns, 1.0V에서 8.1ns의 분극 스위칭 속도를 구현했으며, 0.6V 조건에서 분극 손실 20% 기준으로 수천억 회의 스위칭 사이클과 10^12회의 양극성 사이클링에서도 전기적 파괴 없이 동작함을 확인했다. 이를 바탕으로 연구팀은 트랜지스터 1개와 커패시터 1개로 구성된 공통 플레이트 강유전체 램(CP-FeRAM) 구조를 제안하고 회로 시뮬레이션으로 읽기 동작을 평가했다. 이 구조는 저장된 전하가 감소한 뒤에도 분극 상태를 감지하는 방식으로, D램형 메모리에 적용 가능한 경로로 제시됐다.
샘 올트먼 오픈AI CEO는 유튜브 채널 Cheeky Pint에 출연해 가정용 컴퓨터에 D램을 두는 것이 '매우 끔찍하다'며, 활용률이 낮은 개인용 PC 대신 제한된 D램 공급을 AI 데이터센터에 집중해야 한다고 주장했다. 일론 머스크는 자신의 X 계정에 이를 비꼬는 밈을 올리고 '사람들도 자신의 램을 가질 자격이 있다'며 반박했다. 기사는 이 발언이 D램과 PC 가격이 전반적으로 오르는 시점에 나왔다고 짚었으며, 삼성전자와 SK하이닉스가 AI發 메모리 공급 부족이 2027년 이후까지 이어질 것이라고 경고했다는 점도 전했다. 레노버도 가격이 2026년 이전 수준으로 돌아가지 않을 수 있다고 밝힌 바 있다고 소개했다.