메모리(DRAM·NAND·HBM)
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HZO 강유전체 커패시터, 서울대서 서브볼트 고속 스위칭 구현
FeRAM은 분극 상태로 데이터를 저장해 전하 누설 이후에도 감지가 가능하다는 점에서, 이번 결과는 D램의 주기적 리프레시 부담을 줄이는 방향의 소재·소자 연구로 연결된다.
올트먼 가정용 D램 비판에 머스크 반박, 메모리 수급난 부각
기사는 오픈AI가 클라우드에서 모델을 유료로 제공해 수익을 내는 구조라는 점에서, 개인용 PC의 로컬 구동 역량이 줄어드는 쪽이 사업상 유리할 수 있다는 맥락을 함께 짚었다.
Macronix, AI용 플래시 확장 — HBM 수요로 메모리 재편
첨단 HBM 중심의 AI 메모리 수요가 레거시 플래시 제품군까지 끌어올리는 파급 효과를 보여주는 사례다.
최근 소식
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비윈 M560, D램 없는 PCIe 5.0 SSD로 발열·전력 효율 입증
Tom's Hardware가 비윈(Biwin)의 2TB SSD 'M560'을 리뷰했다. 이 제품은 SMI의 SM2504XT 컨트롤러를 탑재한 DRAM-less(D램 없는) PCIe 5.0 SSD로 HMB 방식을 사용하며, 낸드는 키오시아의 218단 BiCS8 TLC다. 순차 읽기 11,000MB/s, 순차 쓰기 10,000MB/s이며 랜덤 읽기·쓰기 모두 최대 1,700K IOPS를 지원한다. 전력 소모는 평균 약 4W 수준으로 낮아 발열 관리에 유리하다고 매체는 평가했다. 보증은 5년이며 1TB와 2TB 두 용량으로만 출시된다.
메모리 업계 AI 집중, 구형 부품 공급난 우려 확산
AI가 반도체 산업 전반에 영향을 미치면서 그 파급효과가 데이터센터를 넘어 확산되고 있다고 EE Times가 보도했다. 메모리 제조사들이 AI向 수요에 맞춰 생산 능력과 투자를 우선 배정하면서, 다른 용도의 메모리 부품 수급 환경이 변화하고 있다고 전했다. 이에 따라 제품 설계자들이 장기간 안정적으로 활용할 수 있는 '구식화 저항성(obsolescence-resilient)' 제품 수명주기 설계 전략을 모색하고 있다고 보도했다.
삼성전자·SK하이닉스 3분기 최대 실적, HBM 수급난 2028년까지
삼성전자와 SK하이닉스가 3분기 나란히 역대 최대 영업이익을 기록했다. 삼성전자 DS부문은 106조 5000억원, SK하이닉스는 83조 3000억원의 영업이익을 냈으며 HBM과 eSSD 등 고부가품 판매가 실적을 이끌었다. 양사는 컨퍼런스콜에서 2027년 HBM 공급물량이 이미 솔드아웃됐고, D램·HBM 수급 빠듯함이 2028년 이후까지 이어질 것이라고 밝혔다. 삼성전자는 2030년까지 생산능력의 60~70%를 장기공급계약(LTA)으로 채울 계획이며, SK하이닉스는 LTA 고객사를 10곳에서 14곳으로 늘렸다고 설명했다.
범용 D램 가격 19개월 연속 상승 — HBM 생산 확대로 공급 감소
시장조사업체 D램익스체인지에 따르면 PC용 D램인 DDR4 8Gb 가격이 10월에도 전달 대비 상승해 19개월 연속 오름세를 이어갔다. 반면 범용 낸드 가격은 21개월 만에 상승세가 멈췄다. D램 공급업체들이 고대역폭메모리(HBM) 등 서버용 메모리 생산을 늘리면서 범용 D램 공급이 줄어든 것이 가격 상승의 배경으로 지목됐다. D램익스체인지의 모회사 트렌드포스는 내년 한국 D램 업체들의 PC용 D램 생산량이 전년 대비 20~40% 감소할 것으로 예상했다.
D램 가격 또 최고치, HBM·서버용 전환으로 PC용 공급 급감
트렌드포스 산하 D램익스체인지에 따르면 10월 PC용 D램 범용제품의 평균 고정거래가격이 전월 대비 5.77% 상승하며 다시 최고치를 기록했다. 삼성전자와 SK하이닉스 등 주요 D램 제조사가 생산 라인을 HBM과 서버용 D램 중심으로 전환하면서 PC용 D램 공급이 줄어든 것이 원인으로 꼽힌다. 트렌드포스는 국내 D램 제조사의 내년 PC용 D램 생산량이 전년 대비 20% 이상, 많게는 40% 이상 줄어들 것으로 추산했다. 반면 메모리카드·USB용 낸드플래시 범용제품 가격은 전월과 동일한 수준을 유지하며 21개월 연속 상승 행진을 멈췄다. 트렌드포스는 MLC 제품이 이미 고점에 도달하고 수급 차질이 겹치면서 고객사들이 SLC 전환이나 TLC 사양 상향에 나서고 있다고 설명했다.
삼성전자, 3분기 영업이익 80조원대 — AI 메모리 수요가 견인
삼성전자는 2026년 3분기 연결 매출 195.3조원, 영업이익 107.4조원을 기록했다고 발표했다. 회사 측은 이번 실적이 AI용 메모리 반도체에 대한 전세계 수요 강세에 힘입은 결과라고 설명했다.
RTX 5080 유통가, RTX 5090 출시가 수준까지 급등
엔비디아 지포스 RTX 5080의 온라인 유통가가 크게 올라 출시 당시 RTX 5090 가격 수준에 도달했다고 톰스하드웨어가 보도했다. 정상 판매처의 재고는 매우 제한적이며, 상당수 매물은 서드파티 판매자를 통해서만 구할 수 있는 상황이다. RTX 5080은 GB203 GPU에 CUDA 코어 10,752개와 GDDR7 16GB를 탑재한 모델로, 출시 이후 가격이 꾸준히 상승해 왔다. 톰스하드웨어는 AI 데이터센터용 HBM 수요 증가로 메모리 생산라인이 재배정되면서 소비자용 그래픽카드 메모리 공급이 줄어든 것이 가격 상승의 배경이라고 분석했다.
삼성전자, 메모리 장기계약 추가 협상 — AI 넘어 모바일·전장까지
삼성전자가 글로벌 대형 고객사 10곳과 메모리 반도체 장기공급계약(LTA)을 체결한 데 이어 추가로 10곳과 계약 협상을 진행 중이라고 밝혔다. 장기적인 메모리 공급을 원하는 고객사가 늘면서 계약 대상도 다변화되는 추세다. 기존에는 하이퍼스케일러, 서버 제조업체(OEM), 시스템온칩(SoC) 업체 등 인공지능(AI) 관련 고객이 중심이었으나, 이제는 모바일·전장·네트워크 분야로도 장기계약 수요가 확대되고 있다.
삼성전자 HBM 2027년 완판, 메모리 수급 2028년까지 타이트
삼성전자는 3분기 실적발표에서 AI 인프라 수요 확대로 메모리 공급 부족이 2028년까지 이어질 것이라고 전망했다. 2027년 공급 물량의 HBM은 목표 가격 수준에서 협상을 마치고 이미 완판됐으며, 고객사들의 추가 증량 요청이 이어지고 있다고 밝혔다. HBM4E와 HBM5는 다이 크기와 메탈 공정 레이어 증가로 물리적 공급 확대에 제약이 있다고 설명했다. 삼성전자는 대형 고객사 10곳과 다년 장기공급계약(LTA)을 체결했고 추가로 10곳과 협상 중이며, 2030년까지 전체 생산능력의 60~70%를 LTA로 묶는 방침이다. 파운드리 사업에서는 2나노 공정 수주가 늘어 올해 수주 과제 수가 전년 대비 2배 이상으로 예상된다고 밝혔다.
삼성전자, HBM 중심 AI메모리 공동개발 체제로 전환
삼성전자가 AI 메모리 사업 모델의 전환을 예고했다. 김경륜 삼성전자 DS부문 D램 개발실 상무는 28일 전자신문 주최 '테크서밋 2026'에서 전통적인 소품종 대량 생산 체제를 넘어 반도체 고객사와 메모리를 함께 설계·개발하는 방식으로 다품종 대량 생산을 실현하겠다고 밝혔다. 이는 AI 시장의 다양한 수요에 대응하기 위한 전략으로, 고대역폭메모리(HBM)로 대표되는 AI 메모리의 구조·성능 혁신이 이 같은 변화를 앞당길 것으로 관측된다.
SK하이닉스, HBM·D램 공급계약 14곳으로 확대 — 2029년까지 완판
SK하이닉스는 3분기 실적발표에서 2029년까지 D램과 HBM 물량이 사실상 모두 완판된 상태라고 밝혔다. 장기공급계약(LTA) 체결 고객을 10곳에서 14곳으로 늘렸고, 확보한 LTA 물량이 2027~2028년 전체 생산능력의 50% 이상에 달한다고 설명했다. 고객들의 요청 물량이 회사의 공급 가능량을 2배 이상 웃돌아, HBM 적층 단수 하향에 따른 수요 둔화 우려를 반박했다. 4분기에는 HBM4 출하량과 매출 비중이 기존 HBM3E를 넘어서는 크로스오버가 나타날 것으로 전망했다. 회사는 호실적을 바탕으로 현금배당과 자사주 매입·소각을 합쳐 총 100조원 규모 주주환원도 추진한다고 밝혔다.
IBM, PCM 벡터 중첩저장 기술 공개 — 저장밀도 향상
IBM Research Europe가 "Superposed analog memory for vector storage in neural networks" 논문을 통해 아날로그 상변화 메모리(PCM)에 여러 AI 벡터를 중첩시켜 저장하는 아키텍처를 제시했다. 이 방식은 유효 저장 밀도를 높이면서 정확도와 밀도 간에 조정 가능한 트레이드오프를 둘 수 있다고 밝혔다. 프로토타입 PCM 하드웨어 테스트에서 추론 정확도는 완전 정밀도 소프트웨어 수준에 가까운 것으로 나타났다. 해당 논문은 2026년 10월 arXiv에 공개됐다.
앤트로픽, 삼성전자·SK하이닉스 메모리 공급 의존 IPO서 경고
인공지능 기업 앤트로픽이 미국 증시 상장을 추진하며 기업가치 최대 2700조원을 목표로 제시했다. 회사는 미국 증권거래위원회에 제출한 기업공개(IPO) 증권신고서에서 삼성전자와 SK하이닉스 등 메모리 반도체 제조사의 공급 결정이 사업에 영향을 줄 수 있다고 밝혔다. AI 시장 수요가 급성장하고 있지만 핵심 반도체 공급이 이를 따라가지 못하면 사업 확장에 제동이 걸릴 수 있다고 경고했다.
HBM4 대역폭 낮춘 엔비디아, 삼성·SK하이닉스엔 공급 여력 확대
엔비디아가 차세대 AI 가속기 플랫폼 '베라 루빈'에 탑재되는 6세대 고대역폭메모리(HBM4)의 GPU당 대역폭 목표치를 낮췄다. 공식 홈페이지의 베라 루빈 스펙 데이터시트에 따르면 기존 초당 22테라바이트였던 수치가 13% 하향 조정됐다. 업계에서는 최고 사양을 고집해 공급 병목을 자초하기보다 초도 물량과 수율을 안정적으로 확보하려는 전략적 판단으로 풀이하고 있다. 이에 따라 HBM4를 공급하는 삼성전자와 SK하이닉스의 공급 확대 여지가 커질 것이라는 기대가 나온다.
마이크론 1ε D램, 웨이퍼본딩 첫 적용 — EUV는 이후 세대로
마이크론이 4F2 셀 설계를 로드맵에서 제외하고, D램 미세화를 위한 새로운 방식을 도입한다고 밝혔다. 현재 양산 중인 1감마(1γ) 이후 2027년 하반기 양산 예정인 1델타(1δ)에 이어, 1엡실론(1ε) 공정부터 웨이퍼 본딩을 적용하고, 이후 세대인 제타옹스트롬(ζÅ)에는 하이-NA EUV 노광을, 에타옹스트롬(ηÅ)에는 신소재를 도입할 계획이다. 회사는 뉴욕 알바니 나노테크와 협력해 향후 5~10년간 쓰일 하이-NA EUV 기반 D램 공정을 개발 중이며, 3D D램(3D1, 3D2)도 로드맵에 올려두고 비용·성능 면에서 유리한 시점에 도입하기로 했다. 아울러 프로세서 위에 직접 적층하는 수직형 HBM(vHBM)과 수직형 엣지 추론 메모리(vEIM) 등 신규 메모리도 함께 개발하고 있다.
삼성·SK하이닉스, HBM4 8단 양산 돌입 — 엔비디아 루빈 울트라 공급
삼성전자와 SK하이닉스가 내년 2분기부터 엔비디아에 HBM4 8단 제품을 양산 출하할 계획인 것으로 알려졌다. 두 회사는 현재 HBM4 12단을 주력으로 양산하고 있으며, 당초 엔비디아향 HBM4 8단 공급 계획은 없었으나 올해 3분기부터 논의가 본격화됐다. 엔비디아는 차세대 AI 가속기 '루빈 울트라'에 HBM4E 12단 대신 HBM4 8단과 HBM4E 8단을 병행 탑재하는 방안을 검토 중인데, 이는 12단 적층 구조의 발열과 수율 문제에 따른 것으로 풀이된다. 삼성전자와 SK하이닉스는 8단 제품의 부품·소재 수급과 품질 테스트를 준비하고 있으며, 엔비디아와 별도의 인증 절차를 거쳐야 한다.
마이크론 타이완 노조 파업, HBM 생산기지서 이익공유 요구
마이크론 대만 타오위안 공장 노조가 10월 22일 24시간 경고 파업을 벌였다. 노조는 타오위안 공장 직원의 약 70%인 2,335명을 대표하며, 2027 회계연도부터 분기 영업이익의 15%를 상여금 재원으로 보장하는 이익 공유 제도를 요구하고 있다. 마이크론이 9월 발표한 일회성 보상안을 노조는 장기 기준이 없다며 거부했다. 같은 날 타이중 공장 노조와는 단체협약을 체결해 이익 연동 분기 상여금 지급에 합의했으나, 타오위안 공장 협상은 구체적 비율을 정하지 못하고 결렬됐다. 대만 공장은 마이크론 전 세계 생산 능력의 60% 이상을 차지하며 AI 서버용 HBM도 생산한다.
마이크론 차세대 G11 낸드, 웨이퍼 본딩으로 400단 돌파
마이크론이 2027년 하반기 양산을 목표로 차세대 3D 낸드 G11을 개발 중이라고 밝혔다. G11은 기존 G9 세대 대비 비트 밀도를 두 배로 높이고 입출력 성능을 최대 50% 향상시키며 전력 소비를 줄이는 것이 목표다. 이를 위해 YMTC가 앞서 적용한 웨이퍼-온-웨이퍼 본딩 기술을 도입해 메모리 셀 어레이와 주변 로직을 별도 공정으로 제작한 뒤 결합하는 방식을 택했다. 또한 활성 워드라인 수는 공개하지 않았지만 400단 이상의 적층과 업계 최고 수준의 셀 피치를 적용할 계획이다. 마이크론은 G11 이후에도 신소재와 고밀도 셀 구조 개발을 통해 적층 수 증가와 셀 치수 축소를 병행하는 방향으로 낸드 스케일링을 이어갈 것이라고 설명했다.
딥시크 V4.1 플래시 개정, 토큰 효율 높이고 환각 위험 여전
딥시크가 오픈 웨이트 모델 V4.1 플래시의 개정판인 1017을 공개했다. 이 모델은 전체 552B, 활성 16B 파라미터를 가진 MoE 구조로 텍스트와 이미지를 함께 처리하며 100만 토큰 컨텍스트를 지원한다. 개정판은 토큰당 KV 캐시 저장에 필요한 HBM 용량과 SSD 저장 용량을 이전 버전보다 크게 줄여 하드웨어 요구치를 낮췄다고 회사 측은 밝혔다. 다만 Artificial Analysis의 옴니션스 벤치마크에서는 답을 모를 때도 추측성 답변을 내놓는 환각 비율이 높게 측정돼, 신뢰도 면에서는 프런티어 모델에 못 미친다는 평가가 나왔다.