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한국전기연구원 나문경 차세대반도체연구센터 책임연구원 연구팀은 충남대 홍순구 교수팀, 호리바에스텍코리아, SK실트론과 공동연구를 통해 탄화규소(SiC) 전력반도체 내부 결함의 실제 발광 파장을 규명했다고 25일 밝혔다. 연구팀은 상용 웨이퍼 207장에 존재하는 10만여 개의 결함 데이터를 분석해 프랭크형 적층결함이 주요 결함군임을 확인했다. '(4,1) 프랭크형 적층결함'은 그동안 424nm의 빛을 방출하는 것으로 알려져 국제전기기술위원회(IEC) 기준 문서에 약 15년간 반영돼 있었으나, 연구팀은 빛의 신호와 원자 구조를 비교하고 이론 계산으로 검증한 결과 실제 파장이 459nm임을 확인했다. 연구 성과는 국제 학술지 '악타 머티리얼리아(Acta Materialia)'에 게재됐으며, 나 책임연구원은 '2026 호리바 마사오상'에서 Honorable Mention을 수상했다.
10월 25일
한국전기연구원 차세대반도체연구센터 나문경 박사팀은 충남대 홍순구 교수팀, 호리바에스텍코리아, SK실트론과 공동으로 탄화규소(SiC) 전력반도체의 '(4,1) 프랭크형 적층결함' 발광 파장이 기존에 알려진 424나노미터(nm)가 아닌 459nm임을 확인했다. 기존 424nm 값은 국제전기기술위원회(IEC) 기준에도 반영됐으나, 발광 신호와 실제 원자 구조를 일대일로 대조한 검증에는 한계가 있었다. 연구팀은 상용 웨이퍼 207장에서 확보한 10만여 개의 결함 데이터를 분석하고, 시편 176개를 제작해 전자현미경으로 원자 배열을 관찰한 뒤 밀도범함수이론(DFT) 계산으로 교차 검증했다. SiC 전력반도체는 제조 과정에서 적층결함이 발생하면 성능과 신뢰성이 떨어질 수 있어, 산업 현장에서는 광발광(PL) 검사로 결함을 구분한다. 연구 결과는 학술지 '악타 머티리얼리아(Acta Materialia)'에 게재됐으며, 산업통상부 '화합물전력반도체고도화기술개발사업' 지원으로 수행됐다.
10월 25일
한국전기연구원(KERI) 차세대반도체연구센터 나문경 박사팀이 충남대 홍순구 교수팀, 호리바에스텍코리아, SK실트론 등과 공동연구를 통해 탄화규소(SiC) 전력반도체의 '프랭크형 적층결함' 특성 발광 파장을 재규명했다. 기존 국제전기기술위원회(IEC) 기준에는 424㎚가 반영돼 있었으나, 연구팀은 실제 파장이 459㎚임을 확인했다. 연구팀은 광발광(PL) 검사로 결함 위치를 찾은 뒤 ㎚ 단위로 시료를 가공해 원자분해능 주사투과전자현미경으로 원자 배열을 직접 관찰하고, 슈퍼컴퓨터 기반 이론 계산으로 교차 검증했다. 연구 결과는 학술지 '악타 머티리얼리아(Acta Materialia)'에 게재됐으며, 앞서 같은 학술지에 SiC 사다리꼴 결함 내부 구조 관련 논문이 게재된 지 4개월 만이다. 나문경 박사는 호리바가 주관하는 '2026 호리바 마사오상'을 수상했으며, 2004년 시상 이후 국내 연구기관 소속 수상자는 처음이다.
10월 25일