효율·산업 탈탄소전기신문
재료硏·부산대, 350℃ 저온 2차원 반도체 웨이퍼 10장 동시 제조 기술 개발
한국재료연구원 지능형반도체재료연구센터 김용훈·김지우 박사 연구팀과 부산대학교 이승기 교수 연구팀이 350℃ 저온에서 2차원 반도체를 웨이퍼 10장에 동시 제조하는 배치형 공정기술을 개발했다. 웨이퍼 표면에 산화주석(SnOx)을 얇게 입힌 뒤 350℃에서 황화수소(H₂S) 가스와 반응시켜 약 3나노미터 두께의 이황화주석(SnS₂)으로 변화시키는 방식으로, 지름 약 10cm 웨이퍼 10장을 한 번에 처리한다. 기존 일부 제조 기술은 600℃ 이상의 고온이 필요해 이미 만들어진 반도체 소자에 손상을 줄 수 있었고 별도의 전사 공정도 필요했다. 연구팀은 웨이퍼 한 장당 400여 곳에서 특성을 측정해 균일성을 확인하고 트랜지스터 200개를 제작해 평가한 결과, 전류가 흐를 때와 차단됐을 때의 전류량 차이가 평균 약 30만 배로 나타났다. 연구 결과는 영국왕립화학회(RSC)가 발행하는 국제학술지 '나노스케일'에 지난 7월 1일 게재되며 뒷표지로 선정됐다.
1시간 전
